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Épitaxie

Indice Épitaxie

L'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins.

27 relations: Corrosion, Corrosion à haute température, Creuset, Cristal, Cristallogenèse, Dépôt chimique en phase vapeur, Diffraction, Diffraction d'électrons de haute énergie en incidence rasante, Dislocation, Liquide, Maille (cristallographie), Microélectronique, Microbalance à quartz, Nitrure de gallium, Paramètre cristallin, Précipité, Procédé de Bridgman-Stockbarger, Procédé de Czochralski, Réseau de Bravais, Semi-conducteur, Silicium sur isolant, Substrat, Sursaturation, Symétrie, Texture (cristallographie), Ultravide, Wafer.

Corrosion

mine abandonnée dans une mine. La corrosion de l'acier peut être exacerbée par un air humide, ou ici acidifé par des vapeurs d'origine volcanique Anode de zinc sacrifiée, protégeant une coque de navire de la corrosion électrochimique La corrosion désigne l'altération d'un matériau par réaction chimique avec un oxydant (le dioxygène et le cation H+ en majorité).

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Corrosion à haute température

Corrosion sulfurée à haute température La corrosion à haute température est la dégradation des métaux par l'environnement à haute températures (supérieure à); c'est un phénomène complexe qui a lieu dans les moteurs, chaudières et réacteurs.

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Creuset

silicium dopé par le procédé de Czochralski. Un creuset est un pot en matériau réfractaire ou en métal servant à la fusion ou la calcination.

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Cristal

Un cristal est un solide dont les constituants (atomes, molécules ou d'ions) sont assemblés de manière régulièreDictionnaire de physique.

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Cristallogenèse

La cristallogenèse est un processus de formation d'un cristal, soit en milieu naturel, soit de façon synthétique.

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Dépôt chimique en phase vapeur

Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt sous vide de films minces, à partir de précurseurs gazeux.

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Diffraction

alt.

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Diffraction d'électrons de haute énergie en incidence rasante

La diffraction des électrons de haute énergie en incidence rasante (reflection high energy electron diffraction en anglais ou RHEED) est une technique expérimentale permettant de déterminer la structure cristalline de la surface et de contrôler in situ l’évolution d’une surface durant la croissance.

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Dislocation

En science des matériaux, une dislocation est un défaut linéaire correspondant à une discontinuité dans l'organisation de la structure cristalline.

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Liquide

Diagramme montrant comment sont configurés les molécules et les atomes pour les différents états de la matière. La phase liquide est un état de la matière.

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Maille (cristallographie)

En cristallographie, une maille est une partie finie de l'espace par translation de laquelle le motif cristallin infini peut être obtenu à nouveau.

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Microélectronique

La microélectronique est une spécialité du domaine de l'électronique qui s'intéresse à l'étude et à la fabrication de composants électroniques à l'échelle micrométrique.

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Microbalance à quartz

Une microbalance à quartz est un cas particulier de microbalance piézoélectrique dans lequel le matériau piézoélectrique utilisé est le quartz.

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Nitrure de gallium

Le nitrure de gallium (GaN) est un semi-conducteur à large bande interdite utilisé en optoélectronique et dans les dispositifs de grande puissance ou de haute fréquence.

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Paramètre cristallin

Les paramètres cristallins, aussi appelés paramètres de maille, sont des grandeurs utilisées pour décrire la maille d'un cristal.

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Précipité

En chimie et en métallurgie, un précipité est la formation d'une phase dispersée hétérogène dans une phase majoritaire.

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Procédé de Bridgman-Stockbarger

Le procédé de Bridgman-Stockbarger, ou méthode de Bridgman verticale est un procédé de croissance de cristaux monocristallins.

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Procédé de Czochralski

Le procédé de Czochralski (pron. « tchokhralski ») est un procédé de croissance de cristaux monocristallins de grande dimension (plusieurs centimètres).

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Réseau de Bravais

En cristallographie, un réseau de Bravais est une distribution régulière de points – appelés nœuds – dans l’espace qui représente la périodicité de la distribution atomique d’un cristal.

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Semi-conducteur

Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un isolant, mais pour lequel la probabilité qu'un électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique faible, est suffisamment importante.

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Silicium sur isolant

Le silicium sur isolant (en anglais: SOI ou Silicon On Insulator) est une structure constituée d'un empilement d'une couche de silicium (de 50 nm à quelques µm d'épaisseur) sur une couche d'isolant.

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Substrat

Un substrat est une base matérielle, un support, un socle.

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Sursaturation

La sursaturation est la condition chimique où une solution contient plus de soluté qu'elle ne peut en dissoudre normalement.

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Symétrie

La symétrie est la propriété d'un système: c'est lorsque deux parties sont semblables.

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Texture (cristallographie)

réflexions de la lumière. En cristallographie, le terme texture désigne une orientation préférentielle des cristallites d'un matériau polycristallin.

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Ultravide

alt.

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Wafer

En électronique et micro-électronique, un wafer (de l'anglais) est une tranche, une galette ou une plaque de semi-conducteur (généralement du silicium mais parfois du germanium voire de l'arséniure de gallium) monocristalin.

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Redirections ici:

Epitaxie.

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