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78 relations: Antimoniure de gallium, Arséniure d'aluminium, Arséniure d'aluminium-gallium, Arséniure d'indium, Arséniure de gallium-indium, Arsenic, Atome, Électron de valence, Épitaxie, Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques, Épitaxie par jet moléculaire, État solide, Bande interdite, Brome, Cellule photovoltaïque, Circuit intégré monolithique hyperfréquence, Complementary metal oxide semi-conductor, Composant électronique, Composé chimique, Couche mince, Cray (entreprise), Cubique à faces centrées, Défaut cristallin, Dichlore, Diode électroluminescente, Diode Gunn, Diode laser, Dioxyde de silicium, Formule brute, Gallium, Gap direct et gap indirect, Groupe 13 du tableau périodique, Infrarouge, Ingestion, Injection (médecine), Injection intraveineuse, Laser, Maille (cristallographie), Méthane, Micro-onde, Monocristal, Nitrure de gallium, Niveau de Fermi, Opto-électronique, Oxygène, Péritoine, Peroxyde d'hydrogène, Phospho-arséniure de gallium, Phosphure d'indium, Phosphure de gallium, ..., Pnictogène, Porteur de charge, Procédé de Bridgman-Stockbarger, Procédé de Czochralski, Radar, Résistivité, Séléniure de cuivre, d'indium et de gallium, Semi-conducteur, Semi-conducteur III-V, Silicium, Sphalérite, Structure blende, Structure cristalline, Substrat (électronique), Sulfure de gallium(II), Sulfure de zinc, Superordinateur, Système réticulaire cubique, Tableau périodique des éléments, Téléphone mobile, Tellurure de cadmium, Tension de claquage, Transistor à effet de champ, Trichlorure d'arsenic, Trihydrure d'arsenic, Triméthylgallium, Trou d'électron, Wafer. Développer l'indice (28 plus) »
Antimoniure de gallium
L’antimoniure de gallium est un composé chimique de formule brute GaSb.
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Arséniure d'aluminium
L’arséniure d'aluminium (AlAs) est un composé chimique d'aluminium et d'arsenic.
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Arséniure d'aluminium-gallium
L'arséniure d'aluminium-gallium (AlxGa1-xAs) est un semi-conducteur utilisé dans la fabrication de diodes électroluminescentes (DEL) émettant dans le rouge ou l'infrarouge.
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Arséniure d'indium
L'arséniure d'indium, InAs, est un semi-conducteur composite binaire de type III-V, composé d'arsenic et d'indium.
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Arséniure de gallium-indium
L'arséniure d'indium-gallium (InGaAs) (ou arséniure de gallium-indium, GaInAs) est un alliage ternaire (composé chimique) d'arséniure d'indium (InAs) et d'arséniure de gallium (GaAs).
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Arsenic
L'arsenic est l'élément chimique de numéro atomique 33, noté par le symbole As.
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Atome
hélium 4, agrandi à droite, est formé de deux protons et de deux neutrons. Atomes de carbone à la surface de graphite observés par microscope à effet tunnel. Un atome est la plus petite partie d'un corps simple pouvant se combiner chimiquement avec un autre.
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Électron de valence
Un électron de valence est un électron situé dans la couche de valence d'un atome.
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Épitaxie
L'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins.
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Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques
L'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (EPVOM, aussi connue sous les acronymes anglophones MOVPE — metalorganic vapor phase epitaxy ou MOCVD — metalorganic chemical vapor deposition, terme plus général) est une technique de croissance cristalline dans laquelle les éléments à déposer, sous forme d'organométalliques ou d'hydrures, sont amenés vers le substrat monocristallin par un gaz vecteur.
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Épitaxie par jet moléculaire
L'épitaxie par jets moléculaires (ou MBE pour Molecular Beam Epitaxy) est une technique consistant à envoyer un ou plusieurs jets moléculaires vers un substrat préalablement choisi pour réaliser une croissance épitaxiale.
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État solide
alt.
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Bande interdite
Bandes d'un semiconducteur. La bande interdite d'un matériau, ou gap, est l'intervalle, situé entre la bande de valence et la bande de conduction, dans lequel la densité d'états électroniques est nulle, de sorte qu'on n'y trouve pas de niveau d'énergie électronique.
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Brome
Le brome est l'élément chimique de numéro atomique 35, de symbole Br.
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Cellule photovoltaïque
Une cellule photovoltaïque, ou cellule solaire, est un composant électronique qui, exposé à la lumière, produit de l’électricité grâce à l’effet photovoltaïque.
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Circuit intégré monolithique hyperfréquence
Un circuit intégré monolithique hyperfréquence ou MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) est un type de circuit intégré fonctionnant aux fréquences radio intermédiaires entre l'infrarouge et les ondes de radiodiffusion dites « micro-ondes » (de à). Ces composants électroniques sont utilisés le plus souvent comme mélangeurs micro-ondes, comme amplificateurs de puissance, comme amplificateurs faible bruit ou comme commutateurs haute fréquence.
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Complementary metal oxide semi-conductor
Vue en coupe d'un transistor MOS On appelle CMOS, ou, une technologie de fabrication de composants électroniques et, par extension, les composants fabriqués selon cette technologie.
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Composant électronique
Un composant électronique est un élément destiné à être assemblé avec d'autres afin de réaliser une ou plusieurs fonctions électroniques.
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Composé chimique
La vitamine B8 est un composé chimique qui comprend du carbone, de l'azote, du soufre, de l'oxygène et de l'hydrogène. Un composé chimique ou corps composé par opposition au corps simple, en chimie, est une substance chimique pure composée d'au moins deux éléments chimiques différents.
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Couche mince
Une couche mince est un revêtement dont l’épaisseur peut varier de quelques couches atomiques à une dizaine de micromètres.
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Cray (entreprise)
Cray est le nom d'une entreprise américaine fondée en 1972 par Seymour Cray, sous le nom de « ».
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Cubique à faces centrées
Un cristal est dit cubique à faces centrées (cfc) ou simplement cubique faces centrées (en anglais, faces centered cubic ou FCC) lorsque les de son réseau sont situés.
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Défaut cristallin
bibcode.
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Dichlore
Le dichlore (Cl2) est un gaz jaune-vert (chloros signifie « vert » en grec) dans les conditions normales de température et de pression.
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Diode électroluminescente
alt.
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Diode Gunn
Une diode Gunn de fabrication russe. Une diode Gunn est un type de diode utilisée en électronique supra haute fréquence et extrêmement haute fréquence.
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Diode laser
Une diode laser est un composant opto-électronique à base de matériaux semi-conducteurs.
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Dioxyde de silicium
Le dioxyde de silicium, ou silice, est un composé chimique de formule.
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Formule brute
La formule brute est l'écriture la plus compacte décrivant un composé chimique ou un corps simple.
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Gallium
Le gallium est l'élément chimique de numéro atomique 31, de symbole Ga.
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Gap direct et gap indirect
En physique des semi-conducteurs, on appelle gap la largeur de la bande interdite, laquelle est l'intervalle d'énergies situé entre l'état de plus basse énergie de la bande de conduction et l'état de plus haute énergie de la bande de valence.
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Groupe 13 du tableau périodique
Le groupe 13 du tableau périodique, autrefois appelé groupe B dans l'ancien système IUPAC utilisé en Europe et groupe A dans le système CAS nord-américain, contient les éléments chimiques de la, ou ''groupe'', du tableau périodique des éléments: |- ! Période ! colspan.
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Infrarouge
Le rayonnement infrarouge (IR) est un rayonnement électromagnétique de longueur d'onde supérieure à celle du spectre visible mais plus courte que celle des micro-ondes ou du domaine térahertz.
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Ingestion
L'ingestion est l'intégration d'aliments et de liquides, dans un organisme vivant, par une vésicule transportrice (endocytose), ou par un organe dédié tel que la bouche.
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Injection (médecine)
En médecine, une injection est une méthode instrumentale utilisée pour introduire dans l'organisme une substance à visée thérapeutique ou diagnostique.
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Injection intraveineuse
Une injection intraveineuse (IV) est une injection d'un liquide dans une veine en général à l'aide d'une seringue et d'une aiguille.
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Laser
nm). Rayon laser à travers un dispositif optique. Démonstration de laser hélium-néon au laboratoire Kastler-Brossel à l'Université Pierre-et-Marie-Curie. Un laser (acronyme issu de l'anglais light amplification by stimulated emission of radiation qui signifie « amplification de la lumière par émission stimulée de radiation ») est un système photonique.
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Maille (cristallographie)
En cristallographie, une maille est une partie finie de l'espace, par translation de laquelle le motif cristallin peut être reproduit à l'infini.
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Méthane
Le méthane est un composé chimique de formule chimique, découvert et isolé par Alessandro Volta entre 1776 et 1778.
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Micro-onde
Expérience de transmission par micro-ondes (Laboratoire de la NASA). cm. Les micro-ondes ou microondes sont des rayonnements électromagnétiques de longueur d'onde intermédiaire entre l'infrarouge et les ondes de radiodiffusion.
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Monocristal
Un monocristal ou matériau monocristallin est un matériau solide constitué d'un unique cristal, formé à partir d’un seul germe.
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Nitrure de gallium
Le nitrure de gallium est un semiconducteur III-V à gap direct de à.
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Niveau de Fermi
Le niveau de Fermi est une caractéristique propre à un système qui traduit la répartition des électrons dans ce système en fonction de la température.
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Opto-électronique
Une diode laser vue au microscope électronique L'opto-électronique est à la fois une branche de l'électronique et de la photonique.
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Oxygène
L'oxygène est l'élément chimique de numéro atomique 8, de symbole O. C'est la tête de file du groupe des chalcogènes, souvent appelé groupe de l'oxygène.
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Péritoine
Le péritoine est une membrane séreuse continue, d'une surface estimée à un mètre carré, formée par une couche simple de cellules épithéliales, qui tapisse l'abdomen, le pelvis et les viscères, délimitant l'espace virtuel de la cavité péritonéale.
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Peroxyde d'hydrogène
Effets du peroxyde d'hydrogène sur les doigts, à faible concentration. Le peroxyde d'hydrogène est un composé chimique de formule.
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Phospho-arséniure de gallium
Le phospho-arséniure de gallium ou arsénio-phosphure de gallium (GaAsP) est un composé chimique d'arsenic, de gallium et de phosphore.
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Phosphure d'indium
Le phosphure d'indium est un composé inorganique de formule InP.
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Phosphure de gallium
Le phosphure de gallium, GaP, est un semi-conducteur composite binaire de type III-V, composé de phosphore et de gallium.
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Pnictogène
Pnictogènes. Le du tableau périodique, parfois dit des pnictogènes (du grec πνίγειν (pnigein) signifiant « asphyxier » ou « étouffer »), et autrefois appelé groupe B dans l'ancien système IUPAC utilisé en Europe et groupe A dans le système CAS nord-américain, contient les éléments chimiques de la de ce tableau: |- ! Période ! colspan.
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Porteur de charge
Un porteur de charge est, en sciences physiques, une particule ou une quasi-particule qui porte une charge électrique.
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Procédé de Bridgman-Stockbarger
Le procédé de Bridgman-Stockbarger, ou méthode de Bridgman verticale est un procédé de croissance de cristaux monocristallins.
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Procédé de Czochralski
Cristal de silicium obtenu par le procédé de Czochralski. Le procédé de Czochralski (prononcé « Tchokhralski »), développé en 1916 par le chimiste polonais Jan Czochralski, est un procédé de croissance de cristaux monocristallins de grande dimension (plusieurs centimètres).
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Radar
Le radar (acronyme issu de l'anglais radio etection nd anging) est un système qui utilise les ondes électromagnétiques pour détecter la présence et déterminer la position ainsi que la vitesse d'objets tels que les avions, les bateaux, ou la pluie.
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Résistivité
La résistivité d'un matériau, généralement symbolisée par la lettre grecque rho (ρ), représente sa capacité à s'opposer à la circulation du courant électrique.
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Séléniure de cuivre, d'indium et de gallium
Le séléniure de cuivre, d'indium et de gallium, souvent abrégé CIGS, de l'anglais copper indium gallium selenide, est un composé chimique de formule générique.
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Semi-conducteur
Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un isolant, mais pour lequel la probabilité qu'un électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique faible, est suffisamment importante.
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Semi-conducteur III-V
Les semi-conducteurs III-V sont des matériaux composés d’un ou plusieurs éléments de la colonne III (bore, aluminium, gallium, indium) et de la colonne V (azote, phosphore, arsenic, antimoine) du tableau périodique de Mendeleïev, tels que l’arséniure de gallium, arséniure d'indium, nitrure de gallium, antimoniure de gallium, phosphure de bore ou des alliages ternaires tels que InxGa1-xAs (pour une liste plus complète, voir Liste de matériaux semi-conducteurs).
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Silicium
Le silicium est l'élément chimique de numéro atomique 14, de symbole Si.
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Sphalérite
Sphalérite Le sulfure de zinc (ZnS) cristallise en plusieurs polytypes, les deux principaux étant la sphalérite et la wurtzite.
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Structure blende
Représentation de la structure cristalline blende. Les liaisons sont indiquées entre les deux types d'atomes. La structure blende (en anglais zincblende (ou zinc-blende) structure) est une structure cristalline dérivée de la structure cubique à faces centrées (CFC), composée de deux espèces atomiques différentes.
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Structure cristalline
La structure cristalline (ou structure d'un cristal) donne l'arrangement des atomes dans un cristal.
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Substrat (électronique)
En électronique, pour la fabrication de semi-conducteur (circuit intégré, transistor, diode), un support de silicium pur est utilisé.
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Sulfure de gallium(II)
Le sulfure de gallium(II), GaS, est un composé chimique du gallium et du soufre.
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Sulfure de zinc
Le sulfure de zinc désigne principalement deux corps ioniques inorganiques dimorphes, également composés de cations zinc et d'anions sulfures en proportion stoechiométrique, de formule ZnS.
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Superordinateur
consulté le.
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Système réticulaire cubique
En cristallographie, le système réticulaire cubique (ou isométrique) est un système réticulaire dont la maille conventionnelle a la forme d'un cube.
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Tableau périodique des éléments
28 novembre 2016. Avec davantage de détails par élément. Le tableau périodique des éléments, également appelé tableau ou table de Mendeleïev, classification périodique des éléments ou simplement tableau périodique, représente tous les éléments chimiques, ordonnés par numéro atomique croissant et organisés en fonction de leur configuration électronique, laquelle sous-tend leurs propriétés chimiques.
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Téléphone mobile
Un téléphone mobileTerme le plus générique et international; recommandé (ainsi que « téléphone cellulaire ») au Québec par l'Office québécois de la langue française.
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Tellurure de cadmium
Le tellurure de cadmium (CdTe) est un matériau cristallin à structure cubique (de groupe d'espace F43m) composé de cadmium et de tellure.
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Tension de claquage
La tension de claquage (ou « tension disruptive ») d'un isolant électrique est la tension électrique minimale qui rend conductrice une portion d'un isolant.
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Transistor à effet de champ
Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors.
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Trichlorure d'arsenic
Le trichlorure d'arsenic, également appelé trichloroarsane, est un composé inorganique de formule brute AsCl3.
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Trihydrure d'arsenic
Le trihydrure d'arsenic, anciennement connu sous le nom d'arsine et à présent désigné par l'UICPA sous le nom d'arsane, est un composé inorganique de l'arsenic et de l'hydrogène de formule AsH3.
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Triméthylgallium
Le triméthylgallium (TMG), Ga(CH3)3, est un composé organométallique à base de gallium.
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Trou d'électron
En physique du solide, un trou d'électron (habituellement appelé tout simplement trou) est l'absence d'un électron dans la bande de valence, qui serait normalement remplie sans le trou.
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Wafer
En électronique, un wafer (littéralement en français « tranche ») est une tranche ou une plaque très fine de matériau semi-conducteur monocristallin utilisée pour fabriquer des composants de microélectronique.
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Redirections ici:
1303-00-0, Arseniure de gallium, AsGa, GaAs.
