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DDR3 SDRAM

Indice DDR3 SDRAM

Le DDR3 SDRAM, plus généralement connu sous la forme simplifiée DDR3, est un standard de mémoire vive dynamique électronique défini par le JEDEC, destiné à être progressivement utilisé dans les ordinateurs personnels commercialisés à partir de l’année 2007.

20 relations: Architecture de mémoire à multiples canaux, Buffalo Technology, Carte graphique, Carte mère, Compatibilité ascendante et descendante, Courant électrique, DDR2 SDRAM, DDR3L SDRAM, Entrée-sortie, GDDR3, Intel, Joint Electron Device Engineering Council, Latence CAS, Mémoire à code correcteur d'erreurs, Mémoire tampon de prélecture, Mémoire vive dynamique, Nanomètre, Tension électrique, Volt, 2007 en informatique.

Architecture de mémoire à multiples canaux

L'architecture de mémoire à multiples canaux (ou architecture de mémoire multiplex) est une solution technique mise en place sur une carte mère permettant d'augmenter la bande passante entre la mémoire vive et le contrôleur de mémoire.

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Buffalo Technology

Buffalo Technology est une entreprise japonaise internationale spécialiste en périphériques de stockage, solutions multimédias et solutions réseau sans fil, pour les particuliers et les petites entreprises.

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Carte graphique

Une carte graphique ou carte vidéo (anciennement, par abus de langage, une carte VGA), ou encore un adaptateur graphique, est un périphérique graphique ou carte d'extension d’ordinateur dont le rôle est de produire une image affichable sur un écran.

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Carte mère

La carte mère est le circuit imprimé qui supporte la plupart des composants et des connecteurs nécessaires au fonctionnement d'un compatible PC.

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Compatibilité ascendante et descendante

La Wii, qui a succédé à la Gamecube, est compatible avec cette dernière, ce qui en fait un exemple de compatibilité descendante. La rétrocompatibilité, ou compatibilité descendante, est la compatibilité d'un produit vis-à-vis de ses anciennes ou précédentes versions; la compatibilité ascendante ou postcompatibilité est la compatibilité d'un produit vis-à-vis des versions plus récentes, voire encore en phase de conception.

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Courant électrique

Un courant électrique est un mouvement d'ensemble de porteurs de charges électriques, généralement des électrons, au sein d'un matériau conducteur.

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DDR2 SDRAM

droite La DDR2 SDRAM ou DDR2 (de l'anglais Double Data Rate two Synchronous Dynamic Random Access Memory) est la seconde génération de mémoire vive dynamique de type DDR pour les ordinateurs personnels, la première étant la technologie DDR SDRAM.

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DDR3L SDRAM

DDR3L SDRAM: Samsung K4B4G1646Q-HYK0 La DDR3L SDRAM, souvent abrégé en DDR3L, est un module de mémoire vive dynamique, consommant moins d'énergie que les DDR3 SDRAM classiques, dont la norme a été publiée par le JEDEC le.

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Entrée-sortie

Dans un système à base de processeur, de microprocesseur, de microcontrôleur ou d'automate, on appelle entrée-sortie toute interface permettant d’échanger des données entre le processeur et les périphériques qui lui sont associés.

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GDDR3

Qimonda 512-Mbit GDDR3 La GDDR3 SDRAM (version 3) est un type de mémoire de carte graphique défini par ATI Technologies en coopération avec le JEDEC.

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Intel

Intel Corporation est une entreprise américaine fondée en 1968 par Gordon Moore, Robert Noyce et Andrew Grove.

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Joint Electron Device Engineering Council

Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC aussi appelée JEDEC Solid State Technology Association) est un organisme de normalisation des semi-conducteurs qui fait partie de l’Electronic Industries Alliance (EIA).

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Latence CAS

La latence CAS ((CL) en anglais) correspond au nombre de cycles d'horloge précédant l'acheminement des données après la réception d'une commande, ce délai dépend du temps de réaction interne.

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Mémoire à code correcteur d'erreurs

Une mémoire à code correcteur d'erreurs (en anglais, ou) est un type de mémoire vive avec un code correcteur permettant de détecter et de corriger les types les plus courants de corruption de données.

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Mémoire tampon de prélecture

Une mémoire tampon de prélecture (en anglais, prefetch buffer) est une mémoire tampon utilisée dans les mémoires DRAM pour permettre un accès rapide à plusieurs mots situés sur la même rangée de la mémoire.

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Mémoire vive dynamique

La mémoire vive dynamique (en anglais DRAM pour Dynamic Random Access Memory) est un type de mémoire vive compacte et peu dispendieuse.

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Nanomètre

Le nanomètre, de symbole nm, est une unité de longueur du Système international.

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Tension électrique

La tension électrique est la circulation du champ électrique le long d'un circuit électrique mesurée en volts par un voltmètre.

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Volt

Le volt (symbole: V) est une unité de force électromotrice et de différence de potentiel (ou tension), dérivée du SI.

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2007 en informatique

Cet article présente les principaux événements de 2007 dans le domaine de l'informatique.

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Redirections ici:

DDR3.

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