20 relations: Architecture de mémoire à multiples canaux, Buffalo Technology, Carte graphique, Carte mère, Compatibilité ascendante et descendante, Courant électrique, DDR2 SDRAM, DDR3L SDRAM, Entrée-sortie, GDDR3, Intel, Joint Electron Device Engineering Council, Latence CAS, Mémoire à code correcteur d'erreurs, Mémoire tampon de prélecture, Mémoire vive dynamique, Nanomètre, Tension électrique, Volt, 2007 en informatique.
Architecture de mémoire à multiples canaux
L'architecture de mémoire à multiples canaux (ou architecture de mémoire multiplex) est une solution technique mise en place sur une carte mère permettant d'augmenter la bande passante entre la mémoire vive et le contrôleur de mémoire.
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Buffalo Technology
Buffalo Technology est une entreprise japonaise internationale spécialiste en périphériques de stockage, solutions multimédias et solutions réseau sans fil, pour les particuliers et les petites entreprises.
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Carte graphique
Une carte graphique ou carte vidéo (anciennement, par abus de langage, une carte VGA), ou encore un adaptateur graphique, est un périphérique graphique ou carte d'extension d’ordinateur dont le rôle est de produire une image affichable sur un écran.
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Carte mère
La carte mère est le circuit imprimé qui supporte la plupart des composants et des connecteurs nécessaires au fonctionnement d'un compatible PC.
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Compatibilité ascendante et descendante
La Wii, qui a succédé à la Gamecube, est compatible avec cette dernière, ce qui en fait un exemple de compatibilité descendante. La rétrocompatibilité, ou compatibilité descendante, est la compatibilité d'un produit vis-à-vis de ses anciennes ou précédentes versions; la compatibilité ascendante ou postcompatibilité est la compatibilité d'un produit vis-à-vis des versions plus récentes, voire encore en phase de conception.
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Courant électrique
Un courant électrique est un mouvement d'ensemble de porteurs de charges électriques, généralement des électrons, au sein d'un matériau conducteur.
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DDR2 SDRAM
droite La DDR2 SDRAM ou DDR2 (de l'anglais Double Data Rate two Synchronous Dynamic Random Access Memory) est la seconde génération de mémoire vive dynamique de type DDR pour les ordinateurs personnels, la première étant la technologie DDR SDRAM.
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DDR3L SDRAM
DDR3L SDRAM: Samsung K4B4G1646Q-HYK0 La DDR3L SDRAM, souvent abrégé en DDR3L, est un module de mémoire vive dynamique, consommant moins d'énergie que les DDR3 SDRAM classiques, dont la norme a été publiée par le JEDEC le.
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Entrée-sortie
Dans un système à base de processeur, de microprocesseur, de microcontrôleur ou d'automate, on appelle entrée-sortie toute interface permettant d’échanger des données entre le processeur et les périphériques qui lui sont associés.
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GDDR3
Qimonda 512-Mbit GDDR3 La GDDR3 SDRAM (version 3) est un type de mémoire de carte graphique défini par ATI Technologies en coopération avec le JEDEC.
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Intel
Intel Corporation est une entreprise américaine fondée en 1968 par Gordon Moore, Robert Noyce et Andrew Grove.
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Joint Electron Device Engineering Council
Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC aussi appelée JEDEC Solid State Technology Association) est un organisme de normalisation des semi-conducteurs qui fait partie de l’Electronic Industries Alliance (EIA).
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Latence CAS
La latence CAS ((CL) en anglais) correspond au nombre de cycles d'horloge précédant l'acheminement des données après la réception d'une commande, ce délai dépend du temps de réaction interne.
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Mémoire à code correcteur d'erreurs
Une mémoire à code correcteur d'erreurs (en anglais, ou) est un type de mémoire vive avec un code correcteur permettant de détecter et de corriger les types les plus courants de corruption de données.
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Mémoire tampon de prélecture
Une mémoire tampon de prélecture (en anglais, prefetch buffer) est une mémoire tampon utilisée dans les mémoires DRAM pour permettre un accès rapide à plusieurs mots situés sur la même rangée de la mémoire.
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Mémoire vive dynamique
La mémoire vive dynamique (en anglais DRAM pour Dynamic Random Access Memory) est un type de mémoire vive compacte et peu dispendieuse.
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Nanomètre
Le nanomètre, de symbole nm, est une unité de longueur du Système international.
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Tension électrique
La tension électrique est la circulation du champ électrique le long d'un circuit électrique mesurée en volts par un voltmètre.
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Volt
Le volt (symbole: V) est une unité de force électromotrice et de différence de potentiel (ou tension), dérivée du SI.
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2007 en informatique
Cet article présente les principaux événements de 2007 dans le domaine de l'informatique.
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Redirections ici:
DDR3.