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15 relations: État plasma, Carbure de silicium, Circuit intégré, FinFET, Gravure (microfabrication), Gravure au plasma, Gravure ionique réactive, Ion, Loi de Moore, Microélectronique, Nitrure de gallium, Photolithographie, Semi-conducteur, Thomas J. Watson Research Center, Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde.
État plasma
Le soleil est une boule de plasma. 168x168px Les flammes de haute température sont des plasmas. L'état plasma est un état de la matière, tout comme l'état solide, l'état liquide ou l'état gazeux, bien qu'il n'y ait pas de transition brusque pour passer d'un de ces états au plasma ou réciproquement.
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Carbure de silicium
Le carbure de silicium est un composé chimique de formule SiC.
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Circuit intégré
Le circuit intégré (CI), aussi appelé puce électronique, est un composant électronique, basé sur un semi-conducteur, reproduisant une ou plusieurs fonctions électroniques plus ou moins complexes, intégrant souvent plusieurs types de composants électroniques de base dans un volume réduit (sur une petite plaque), rendant le circuit facile à mettre en œuvre.
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FinFET
Un transistor à effet de champ à ailettes (en anglais fin field-effect transistor ou FinFET) est un, un transistor à effet de champ MOSFET (FET à structure métal/oxyde/semi-conducteur) construit sur un substrat où la grille est placée sur deux, trois ou quatre côtés du canal, formant un structure à double grille.
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Gravure (microfabrication)
La gravure (aussi appelée parfois par son nom anglophone, etching) est un procédé utilisé en microfabrication, qui consiste à retirer une ou plusieurs couches de matériaux à la surface d'un wafer.
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Gravure au plasma
La gravure au plasma est une technique de gravure sèche utilisée en microfabrication (microélectronique).
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Gravure ionique réactive
La gravure ionique réactive - ou gravure par ions réactifs - très souvent appelée par son acronyme anglophone, RIE (pour Reactive-Ion Etching), est une technique de gravure sèche des semi-conducteurs.
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Ion
+) a comme logique d'avoir la même structure électronique que le gaz noble (cadre rouge) le plus proche. Un ion est un atome ou un groupe d'atomes portant une charge électrique, parce que son nombre d'électrons est différent de son nombre de protons.
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Loi de Moore
mois. Les lois de Moore sont des lois empiriques qui ont trait à l'évolution de la puissance de calcul des ordinateurs et de la complexité du matériel informatique.
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Microélectronique
Circuit intégré logique La microélectronique est une spécialité du domaine de l'électronique qui s'intéresse à l'étude et à la fabrication de composants électroniques à l'échelle micrométrique.
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Nitrure de gallium
Le nitrure de gallium est un semiconducteur III-V à gap direct de à.
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Photolithographie
La photolithographie est l'ensemble des opérations permettant de transférer une image (généralement présente sur un masque) vers un substrat.
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Semi-conducteur
Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un isolant, mais pour lequel la probabilité qu'un électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique faible, est suffisamment importante.
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Thomas J. Watson Research Center
Thomas J. Watson Research Center, bâtiment principal à Yorktown Heights. Vue aérienne du bâtiment central, 1993. Le Thomas J. Watson Research Center est le siège central de la recherche d'IBM avec au total huit laboratoires en six pays.
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Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde
Photographie représentant deux MOSFET et une allumette Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ.
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