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23 relations: Aluminium, Arsenic, Écrouissage, Bore, Contact ohmique, Dopage (semi-conducteur), Ductilité, Emboutissage, Germanium, Gravure au plasma, Gravure ionique réactive, Laminage, Métal, Microélectronique, Phosphore, Recristallisation (chimie), Recuit simulé, Recuit thermique rapide, Saliciure, Semi-conducteur, Silicium, Siliciure, Température.
Aluminium
L'aluminium est l'élément chimique de numéro atomique 13, de symbole Al.
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Arsenic
L'arsenic est l'élément chimique de numéro atomique 33, noté par le symbole As.
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Écrouissage
Laminage: l'amincissement provoque un durcissement du métal. Lécrouissage d'un métal est le durcissement d'un métal ductile sous l'effet de sa déformation plastique (déformation permanente).
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Bore
Cristaux de borax, un composé du bore. Le bore est l'élément chimique de numéro atomique 5, de symbole B. C'est la tête de file du groupe 13 du tableau périodique.
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Contact ohmique
Schéma de bandes du métal et du semi-conducteur en interaction où Φm Un contact ohmique est un contact métal-semi-conducteur avec une très faible résistance de contact.
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Dopage (semi-conducteur)
Dans le domaine des semi-conducteurs, le dopage est l'action d'ajouter des impuretés en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité.
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Ductilité
La ductilité est la capacité d'un matériau à se déformer plastiquement sans se rompre.
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Emboutissage
Presse à emboutir (en gris) les baignoires avec son outillage (en bleu). L’emboutissage est une technique de fabrication permettant d’obtenir, à partir d’une feuille de tôle plane et mince, un objet dont la forme n’est pas développable.
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Germanium
Le germanium est l'élément chimique de numéro atomique 32, de symbole Ge.
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Gravure au plasma
La gravure au plasma est une technique de gravure sèche utilisée en microfabrication (microélectronique).
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Gravure ionique réactive
La gravure ionique réactive - ou gravure par ions réactifs - très souvent appelée par son acronyme anglophone, RIE (pour Reactive-Ion Etching), est une technique de gravure sèche des semi-conducteurs.
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Laminage
Le laminage est un procédé de fabrication par déformation plastique.
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Métal
En chimie, les métaux sont des matériaux dont les atomes sont unis par des liaisons métalliques.
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Microélectronique
Circuit intégré logique La microélectronique est une spécialité du domaine de l'électronique qui s'intéresse à l'étude et à la fabrication de composants électroniques à l'échelle micrométrique.
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Phosphore
Le phosphore est l'élément chimique de numéro atomique 15, de symbole P. C'est un membre du groupe des pnictogènes.
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Recristallisation (chimie)
La recristallisation est, en chimie, une méthode de purification qui repose sur la différence de solubilité entre le composé à purifier et ses impuretés dans un solvant donné.
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Recuit simulé
En algorithmique, le recuit simulé est une méthode empirique (métaheuristique) d'optimisation, inspirée d'un processus, le recuit, utilisé en métallurgie.
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Recuit thermique rapide
Le recuit thermique rapide (sigle RTA en anglais) est un procédé de fabrication qui porte, par exemple, le wafer de silicium à haute température (jusqu'à ou plus) dans un temps très court, quelques secondes.
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Saliciure
Le terme saliciure (de l'anglais salicide) désigne une technique utilisée en microélectronique pour former des contacts électriques entre un composant à semi-conducteur en silicium et sa structure d'interconnexion au reste du circuit électrique.
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Semi-conducteur
Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un isolant, mais pour lequel la probabilité qu'un électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique faible, est suffisamment importante.
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Silicium
Le silicium est l'élément chimique de numéro atomique 14, de symbole Si.
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Siliciure
Un siliciure est un composé du silicium et d'un ou plusieurs éléments métalliques, dont au moins un élément plus électropositif que le silicium.
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Température
La température est une grandeur physique mesurée à l’aide d’un thermomètre et étudiée en thermométrie.
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