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Transistor à effet de champ

Indice Transistor à effet de champ

Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors.

28 relations: Émetteur commun, Base commune, Champ électrique, Collecteur commun, Dioxyde de silicium, Dopage (semi-conducteur), Drain commun, Effet Schottky, Grille commune, Jonction p-n, Julius Edgar Lilienfeld, Mohamed M. Atalla, Oskar Heil, Puits quantique, Semi-conducteur, Semi-conducteur organique, Siemens (unité), Source commune, Transconductance, Transistor, Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde, Transistor bipolaire, Transistor bipolaire à grille isolée, Tube électronique, 1925 en science, 1934 en science, 1952 en science, 1960 en science.

Émetteur commun

Un montage amplificateur à émetteur commun est en électronique l'une des trois configurations élémentaires pour l'amplification d'un transistor bipolaire.

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Base commune

Un amplificateur à base commune. En électronique, une base commune est un type d'amplificateur électronique utilisant un transistor bipolaire.

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Champ électrique

Champ électrique associé à son propagateur qu'est le photon. Michael Faraday introduisit la notion de champ électrique. En physique, le champ électrique est le champ vectoriel créé par des particules électriquement chargées.

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Collecteur commun

En électronique, un collecteur commun ou émetteur-suiveur est un type d’amplificateur électronique utilisant un transistor bipolaire.

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Dioxyde de silicium

Le dioxyde de silicium, ou silice, est un composé chimique de formule.

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Dopage (semi-conducteur)

Dans le domaine des semi-conducteurs, le dopage est l'action d'ajouter des impuretés en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité.

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Drain commun

En électronique, un drain commun est un type d’amplificateur électronique utilisant un transistor à effet de champ.

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Effet Schottky

L'effet Schottky ou amplification par effet de champ de l'émission thermoionique est un phénomène en physique de la matière condensée nommé d'après Walter Schottky.

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Grille commune

En électronique, un grille commune est un des trois types de base d’amplificateur électronique utilisant un transistor à effet de champ.

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Jonction p-n

Jonction p-n dans du silicium. Sur ce schéma, les régions ''p'' et ''n'' sont reliées à des contacts métalliques, ce qui suffit à transformer la jonction en diode. Le symbole d'une diode associé à la représentation d'une jonction p-n. En physique des semi-conducteurs, une jonction p-n désigne une zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage p à un dopage n. Lorsque la région dopée p est mise en contact avec la région n, les électrons et les trous diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction, créant ainsi une zone de déplétion, ou zone de charge d'espace (ZCE), où la concentration en porteurs libres est quasiment nulle.

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Julius Edgar Lilienfeld

Julius Edgar Lilienfeld, né le à Lemberg (en Autriche-Hongrie) dans une famille juive, mort le à Charlotte Amalie (Iles Vierges), émigré aux États-Unis en 1927, est un physicien et inventeur austro-hongrois.

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Mohamed M. Atalla

Mohamed M. Atalla (- 30 décembre 2009) est un ingénieur, chimiste, cryptographe, inventeur et entrepreneur égypto-américain.

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Oskar Heil

Oskar Heil, né le à Langwieden en royaume de Bavière et mort le à San Mateo en Californie, était un ingénieur et inventeur allemand.

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Puits quantique

Un puits quantique est une zone de l'espace dans laquelle le potentiel ressenti par une particule quantique atteint un minimum.

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Semi-conducteur

Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un isolant, mais pour lequel la probabilité qu'un électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique faible, est suffisamment importante.

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Semi-conducteur organique

Molécules de quinacridone (semi-conducteur organique) adsorbées sur une surface de graphite. Un semi-conducteur organique est un composé organique, sous la forme d'un cristal ou d'un polymère, qui montre des propriétés similaires aux semi-conducteurs inorganiques.

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Siemens (unité)

Le siemens, de symbole S, est l'unité de conductance électrique du Système international (SI), ainsi nommée en hommage à Werner von Siemens.

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Source commune

En électronique, un Source commune est un type d'amplificateur électronique utilisant un transistor à effet de champ.

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Transconductance

La transconductance aussi appelée pente, pour un transistor bipolaire, un transistor à effet de champ, un tube à vide ou un amplificateur opérationnel, est le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée.

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Transistor

Quelques modèles de transistors. Le transistor est un composant électronique à semi-conducteur permettant de contrôler ou d'amplifier des tensions et des courants électriques.

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Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde

Photographie représentant deux MOSFET et une allumette Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ.

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Transistor bipolaire

Vue interne d'un transistor bipolaire de puissance 2N3055 conçu dans les années 1970. monté en surface. Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors.

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Transistor bipolaire à grille isolée

Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais texte) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement dans les montages de l’électronique de puissance.

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Tube électronique

Lampe double-triode de fabrication russe. Un tube électronique (thermionic valve en anglais ou vacuum tube aux États-Unis), également appelé tube à vide ou même lampe, est un composant électronique actif, généralement utilisé comme amplificateur de signal.

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1925 en science

Cet article présente les faits marquants de l'année 1925 en science.

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1934 en science

Cet article présente les faits marquants de l'année 1934 en science.

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1952 en science

Pas de description.

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1960 en science

Pas de description.

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Redirections ici:

Field-effect transistor, MESFET, Transistor a effet de champ.

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