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Carbure de silicium et Gravure sèche

Raccourcis: Différences, Similitudes, Jaccard similarité Coefficient, Références.

Différence entre Carbure de silicium et Gravure sèche

Carbure de silicium vs. Gravure sèche

Le carbure de silicium est un composé chimique de formule SiC. La gravure sèche (dry etching) est un ensemble de technique de gravure des semi-conducteurs en exposant le matériau à un bombardement d'ions (généralement sous forme de plasma).

Similitudes entre Carbure de silicium et Gravure sèche

Carbure de silicium et Gravure sèche ont 4 choses en commun (em Unionpédia): Microélectronique, Nitrure de gallium, Semi-conducteur, Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde.

Microélectronique

Circuit intégré logique La microélectronique est une spécialité du domaine de l'électronique qui s'intéresse à l'étude et à la fabrication de composants électroniques à l'échelle micrométrique.

Carbure de silicium et Microélectronique · Gravure sèche et Microélectronique · Voir plus »

Nitrure de gallium

Le nitrure de gallium est un semiconducteur III-V à gap direct de à.

Carbure de silicium et Nitrure de gallium · Gravure sèche et Nitrure de gallium · Voir plus »

Semi-conducteur

Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un isolant, mais pour lequel la probabilité qu'un électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique faible, est suffisamment importante.

Carbure de silicium et Semi-conducteur · Gravure sèche et Semi-conducteur · Voir plus »

Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde

Photographie représentant deux MOSFET et une allumette Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ.

Carbure de silicium et Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde · Gravure sèche et Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde · Voir plus »

La liste ci-dessus répond aux questions suivantes

Comparaison entre Carbure de silicium et Gravure sèche

Carbure de silicium a 255 relations, tout en Gravure sèche a 15. Comme ils ont en commun 4, l'indice de Jaccard est 1.48% = 4 / (255 + 15).

Références

Cet article montre la relation entre Carbure de silicium et Gravure sèche. Pour accéder à chaque article à partir de laquelle l'information a été extraite, s'il vous plaît visitez:

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