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Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma et Dépôt de couche mince

Raccourcis: Différences, Similitudes, Jaccard similarité Coefficient, Références.

Différence entre Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma et Dépôt de couche mince

Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma vs. Dépôt de couche mince

Équipement de PECVD. Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (ou PECVD, pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition en anglais) est un procédé utilisé pour déposer des couches minces sur un substrat à partir d'un état gazeux (vapeur). Le dépôt de couche mince désigne l'ensemble des techniques qui permettent de déposer une couche mince ou film mince de matériau sur un substrat ou sur des couches déposées antérieurement.

Similitudes entre Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma et Dépôt de couche mince

Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma et Dépôt de couche mince ont 3 choses en commun (em Unionpédia): Couche mince, Dépôt chimique en phase vapeur, Pulvérisation cathodique.

Couche mince

Une couche mince est un revêtement dont l’épaisseur peut varier de quelques couches atomiques à une dizaine de micromètres.

Couche mince et Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma · Couche mince et Dépôt de couche mince · Voir plus »

Dépôt chimique en phase vapeur

Schéma d'un CVD Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt sous vide de films minces, à partir de précurseurs gazeux.

Dépôt chimique en phase vapeur et Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma · Dépôt chimique en phase vapeur et Dépôt de couche mince · Voir plus »

Pulvérisation cathodique

Pulvérisation cathodique magnétron en cours de dépôt de couche mince La pulvérisation cathodique (ou sputtering) est un phénomène dans lequel des particules sont arrachées à une cathode dans une atmosphère raréfiée.

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La liste ci-dessus répond aux questions suivantes

Comparaison entre Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma et Dépôt de couche mince

Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma a 23 relations, tout en Dépôt de couche mince a 38. Comme ils ont en commun 3, l'indice de Jaccard est 4.92% = 3 / (23 + 38).

Références

Cet article montre la relation entre Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma et Dépôt de couche mince. Pour accéder à chaque article à partir de laquelle l'information a été extraite, s'il vous plaît visitez:

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