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Épitaxie et Nitrure de gallium

Raccourcis: Différences, Similitudes, Jaccard similarité Coefficient, Références.

Différence entre Épitaxie et Nitrure de gallium

Épitaxie vs. Nitrure de gallium

L'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins. Le nitrure de gallium est un semiconducteur III-V à gap direct de à.

Similitudes entre Épitaxie et Nitrure de gallium

Épitaxie et Nitrure de gallium ont 12 choses en commun (em Unionpédia): Creuset, Cristal, Cristallisation, Dépôt chimique en phase vapeur, Diffraction d'électrons de haute énergie en incidence rasante, Dislocation, Monocristal, Paramètre cristallin, Semi-conducteur, Semi-conducteur III-V, Ultravide, Wafer.

Creuset

silicium dopé par le procédé de Czochralski. Un creuset est un pot en matériau réfractaire ou en métal servant à la fusion ou la calcination.

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Cristal

Cristaux. Cristaux de sel obtenus par cristallisation lente dans une saumure à température ambiante. Un cristal est un solide dont les constituants (atomes, molécules ou ions) sont assemblés de manière régulièreRichard Taillet, Loïc Villain et Pascal Febvre, Dictionnaire de physique,, De Boeck, 2009,.

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Cristallisation

La cristallisation est le passage d'un état désordonné gazeux, liquide (substance fondue ou dissoute dans un solvant) ou solide (verre ou amorphe) à un état solide ordonné (cristal).

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Dépôt chimique en phase vapeur

Schéma d'un CVD Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt sous vide de films minces, à partir de précurseurs gazeux.

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Diffraction d'électrons de haute énergie en incidence rasante

La diffraction des électrons de haute énergie en incidence rasante (reflection high energy electron diffraction en anglais ou RHEED) est une technique expérimentale permettant de déterminer la structure cristalline de la surface et de contrôler in situ l’évolution d’une surface durant la croissance.

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Dislocation

En science des matériaux, une dislocation est un défaut linéaire (c'est-à-dire non-ponctuel), correspondant à une discontinuité dans l'organisation de la structure cristalline.

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Monocristal

Un monocristal ou matériau monocristallin est un matériau solide constitué d'un unique cristal, formé à partir d’un seul germe.

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Paramètre cristallin

Les paramètres cristallins, aussi appelés paramètres de maille, sont des grandeurs utilisées pour décrire la maille d'un cristal.

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Semi-conducteur

Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un isolant, mais pour lequel la probabilité qu'un électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique faible, est suffisamment importante.

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Semi-conducteur III-V

Les semi-conducteurs III-V sont des matériaux composés d’un ou plusieurs éléments de la colonne III (bore, aluminium, gallium, indium) et de la colonne V (azote, phosphore, arsenic, antimoine) du tableau périodique de Mendeleïev, tels que l’arséniure de gallium, arséniure d'indium, nitrure de gallium, antimoniure de gallium, phosphure de bore ou des alliages ternaires tels que InxGa1-xAs (pour une liste plus complète, voir Liste de matériaux semi-conducteurs).

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Ultravide

alt.

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Wafer

En électronique, un wafer (littéralement en français « tranche ») est une tranche ou une plaque très fine de matériau semi-conducteur monocristallin utilisée pour fabriquer des composants de microélectronique.

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La liste ci-dessus répond aux questions suivantes

Comparaison entre Épitaxie et Nitrure de gallium

Épitaxie a 32 relations, tout en Nitrure de gallium a 128. Comme ils ont en commun 12, l'indice de Jaccard est 7.50% = 12 / (32 + 128).

Références

Cet article montre la relation entre Épitaxie et Nitrure de gallium. Pour accéder à chaque article à partir de laquelle l'information a été extraite, s'il vous plaît visitez:

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