Épitaxie et Procédé de Czochralski

Raccourcis: Différences, Similitudes, Jaccard similarité Coefficient, Références.

Différence entre Épitaxie et Procédé de Czochralski

Épitaxie vs. Procédé de Czochralski

L'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins. Cristal de silicium obtenu par le procédé de Czochralski. Le procédé de Czochralski (prononcé « Tchokhralski »), développé en 1916 par le chimiste polonais Jan Czochralski, est un procédé de croissance de cristaux monocristallins de grande dimension (plusieurs centimètres).

Similitudes entre Épitaxie et Procédé de Czochralski

Épitaxie et Procédé de Czochralski ont 3 choses en commun (em Unionpédia): Cristal, Semi-conducteur, Solidification.

Cristal

Cristaux. Cristaux de sel obtenus par cristallisation lente dans une saumure à température ambiante. Un cristal est un solide dont les constituants (atomes, molécules ou ions) sont assemblés de manière régulièreRichard Taillet, Loïc Villain et Pascal Febvre, Dictionnaire de physique,, De Boeck, 2009,.

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Semi-conducteur

Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un isolant, mais pour lequel la probabilité qu'un électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique faible, est suffisamment importante.

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Solidification

La solidification est l'opération (plus ou moins réversible) au cours de laquelle un liquide passe à l'état solide.

Épitaxie et Solidification · Procédé de Czochralski et Solidification · Voir plus »

La liste ci-dessus répond aux questions suivantes

Dans ce qui semble Épitaxie et Procédé de Czochralski
Quel a en commun Épitaxie et Procédé de Czochralski
Similitudes entre Épitaxie et Procédé de Czochralski

Comparaison entre Épitaxie et Procédé de Czochralski

Épitaxie a 32 relations, tout en Procédé de Czochralski a 15. Comme ils ont en commun 3, l'indice de Jaccard est 6.38% = 3 / (32 + 15).

Références

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