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Épitaxie et Wafer

Raccourcis: Différences, Similitudes, Jaccard similarité Coefficient, Références.

Différence entre Épitaxie et Wafer

Épitaxie vs. Wafer

L'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins. En électronique, un wafer (littéralement en français « tranche ») est une tranche ou une plaque très fine de matériau semi-conducteur monocristallin utilisée pour fabriquer des composants de microélectronique.

Similitudes entre Épitaxie et Wafer

Épitaxie et Wafer ont 4 choses en commun (em Unionpédia): Dépôt chimique en phase vapeur, Microélectronique, Monocristal, Semi-conducteur.

Dépôt chimique en phase vapeur

Schéma d'un CVD Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt sous vide de films minces, à partir de précurseurs gazeux.

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Microélectronique

Circuit intégré logique La microélectronique est une spécialité du domaine de l'électronique qui s'intéresse à l'étude et à la fabrication de composants électroniques à l'échelle micrométrique.

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Monocristal

Un monocristal ou matériau monocristallin est un matériau solide constitué d'un unique cristal, formé à partir d’un seul germe.

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Semi-conducteur

Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un isolant, mais pour lequel la probabilité qu'un électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique faible, est suffisamment importante.

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La liste ci-dessus répond aux questions suivantes

Comparaison entre Épitaxie et Wafer

Épitaxie a 32 relations, tout en Wafer a 21. Comme ils ont en commun 4, l'indice de Jaccard est 7.55% = 4 / (32 + 21).

Références

Cet article montre la relation entre Épitaxie et Wafer. Pour accéder à chaque article à partir de laquelle l'information a été extraite, s'il vous plaît visitez:

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