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32 relations: Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques, Corrosion, Corrosion à haute température, Creuset, Cristal, Cristallisation, Dépôt chimique en phase vapeur, Diffraction, Diffraction d'électrons de haute énergie en incidence rasante, Dislocation, Liquide, Maille (cristallographie), Microélectronique, Microbalance à quartz, Monocristal, Nitrure de gallium, Nucléation, Paramètre cristallin, Précipité, Procédé de Bridgman-Stockbarger, Procédé de Czochralski, Réseau de Bravais, Semi-conducteur, Semi-conducteur III-V, Silicium sur isolant, Solidification, Substratum, Sursaturation, Symétrie, Texture (minéralogie), Ultravide, Wafer.
Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques
L'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (EPVOM, aussi connue sous les acronymes anglophones MOVPE — metalorganic vapor phase epitaxy ou MOCVD — metalorganic chemical vapor deposition, terme plus général) est une technique de croissance cristalline dans laquelle les éléments à déposer, sous forme d'organométalliques ou d'hydrures, sont amenés vers le substrat monocristallin par un gaz vecteur.
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Corrosion
La corrosion désigne l'altération d'un matériau par réaction chimique avec un oxydant (le dioxygène et le cation H+ en majorité).
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Corrosion à haute température
Corrosion sulfurée à haute température La corrosion à haute température est la dégradation des métaux par l'environnement à haute températures (supérieure à). C'est un phénomène complexe qui a lieu dans les moteurs, chaudières et réacteurs.
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Creuset
silicium dopé par le procédé de Czochralski. Un creuset est un pot en matériau réfractaire ou en métal servant à la fusion ou la calcination.
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Cristal
Cristaux. Cristaux de sel obtenus par cristallisation lente dans une saumure à température ambiante. Un cristal est un solide dont les constituants (atomes, molécules ou ions) sont assemblés de manière régulièreRichard Taillet, Loïc Villain et Pascal Febvre, Dictionnaire de physique,, De Boeck, 2009,.
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Cristallisation
La cristallisation est le passage d'un état désordonné gazeux, liquide (substance fondue ou dissoute dans un solvant) ou solide (verre ou amorphe) à un état solide ordonné (cristal).
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Dépôt chimique en phase vapeur
Schéma d'un CVD Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt sous vide de films minces, à partir de précurseurs gazeux.
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Diffraction
Phénomène d'interférences dû à la diffraction d'une onde à travers deux ouvertures. La diffraction est le comportement des ondes lorsqu'elles rencontrent un obstacle ou une ouverture; le phénomène peut être interprété par la diffusion d’une onde par les points de l'objet.
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Diffraction d'électrons de haute énergie en incidence rasante
La diffraction des électrons de haute énergie en incidence rasante (reflection high energy electron diffraction en anglais ou RHEED) est une technique expérimentale permettant de déterminer la structure cristalline de la surface et de contrôler in situ l’évolution d’une surface durant la croissance.
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Dislocation
En science des matériaux, une dislocation est un défaut linéaire (c'est-à-dire non-ponctuel), correspondant à une discontinuité dans l'organisation de la structure cristalline.
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Liquide
surface terrestre, se manifestant notamment sous forme de liquide. Diagramme montrant comment sont configurés les molécules et les atomes pour les différents états de la matière. La phase liquide est un état de la matière ainsi qu'une forme de fluide.
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Maille (cristallographie)
En cristallographie, une maille est une partie finie de l'espace, par translation de laquelle le motif cristallin peut être reproduit à l'infini.
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Microélectronique
Circuit intégré logique La microélectronique est une spécialité du domaine de l'électronique qui s'intéresse à l'étude et à la fabrication de composants électroniques à l'échelle micrométrique.
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Microbalance à quartz
Une microbalance à quartz est un cas particulier de microbalance piézoélectrique dans lequel le matériau piézoélectrique utilisé est le quartz.
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Monocristal
Un monocristal ou matériau monocristallin est un matériau solide constitué d'un unique cristal, formé à partir d’un seul germe.
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Nitrure de gallium
Le nitrure de gallium est un semiconducteur III-V à gap direct de à.
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Nucléation
Nucléation de bulles de CO2 autour d'un doigt. La nucléation (ou germinationLe terme germination est surtout employé pour la nucléation d'une phase solide.) est l'apparition de petits domaines (appelés nuclei ou germes) d'une nouvelle phase à l'intérieur ou à la frontière d'une phase homogène, devenue instable en raison d'une modification de la température, de la pression ou de sa composition.
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Paramètre cristallin
Les paramètres cristallins, aussi appelés paramètres de maille, sont des grandeurs utilisées pour décrire la maille d'un cristal.
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Précipité
Formation d'un précipité d'hydroxyde de cobalt(II). En chimie et en métallurgie, un précipité est une phase dispersée hétérogène dans une phase majoritaire.
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Procédé de Bridgman-Stockbarger
Le procédé de Bridgman-Stockbarger, ou méthode de Bridgman verticale est un procédé de croissance de cristaux monocristallins.
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Procédé de Czochralski
Cristal de silicium obtenu par le procédé de Czochralski. Le procédé de Czochralski (prononcé « Tchokhralski »), développé en 1916 par le chimiste polonais Jan Czochralski, est un procédé de croissance de cristaux monocristallins de grande dimension (plusieurs centimètres).
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Réseau de Bravais
En cristallographie, un réseau de Bravais est une distribution régulière de points – appelés nœuds – dans l’espace qui représente la périodicité de la distribution atomique d’un cristal.
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Semi-conducteur
Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un isolant, mais pour lequel la probabilité qu'un électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique faible, est suffisamment importante.
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Semi-conducteur III-V
Les semi-conducteurs III-V sont des matériaux composés d’un ou plusieurs éléments de la colonne III (bore, aluminium, gallium, indium) et de la colonne V (azote, phosphore, arsenic, antimoine) du tableau périodique de Mendeleïev, tels que l’arséniure de gallium, arséniure d'indium, nitrure de gallium, antimoniure de gallium, phosphure de bore ou des alliages ternaires tels que InxGa1-xAs (pour une liste plus complète, voir Liste de matériaux semi-conducteurs).
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Silicium sur isolant
Le silicium sur isolant (en anglais: SOI ou Silicon On Insulator) est une structure constituée d'un empilement d'une couche de silicium (de 50 nm à quelques µm d'épaisseur) sur une couche d'isolant.
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Solidification
La solidification est l'opération (plus ou moins réversible) au cours de laquelle un liquide passe à l'état solide.
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Substratum
Le substratum (composé du latin « sous » et de « répandre ») ou substrat ou dans certains cas le soubassement est la formation géologique sur laquelle reposent les terrains ou les artéfacts servant de référence.
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Sursaturation
A: soluté entièrement dissous B: solution saturée C: solution sursaturée La sursaturation est la condition chimique où une solution contient plus de soluté qu'elle ne peut en dissoudre normalement.
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Symétrie
La symétrie est une propriété d'un système: c'est lorsque deux parties sont semblables.
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Texture (minéralogie)
doi.
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Ultravide
alt.
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Wafer
En électronique, un wafer (littéralement en français « tranche ») est une tranche ou une plaque très fine de matériau semi-conducteur monocristallin utilisée pour fabriquer des composants de microélectronique.
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Redirections ici:
Epitaxie, Épitaxie en phase liquide.
