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Dopage (semi-conducteur)

Indice Dopage (semi-conducteur)

Dans le domaine des semi-conducteurs, le dopage est l'action d'ajouter des impuretés en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité.

161 relations: Aliovalent, Amplificateur optique, Antimoniure d'indium, Antimoniure de bismuth, Arséniure de zinc, Écran radioluminescent à mémoire, Électroluminescence, Électrolyse à oxyde solide, Électrolyte polymère, Bande interdite, BiCMOS, Bore, Capacité MOS, Capteur solaire photovoltaïque, Carbonate de strontium, Carbure de silicium, Céramique transparente, Cellule photovoltaïque à pérovskite, Cellule solaire à pigment photosensible, Centrale nucléaire en France, Centre azote-lacune, Chlorure de lanthane(III), Circuit intégré, Circuit intégré monolithique hyperfréquence, Composant semi-conducteur, Conducteur (électricité), Conduction électrique dans les oxydes cristallins, Craquage de l'eau par photocatalyse, Creuset, Défaut cristallin, Détecteur à semi-conducteur, Détecteur de rayons X, Diac, Diéthylzinc, Diborane, Dilution (homonymie), Diméthylzinc, Diode à pointe, Diode laser à cavité verticale émettant par la surface, Diode PIN, Diode Zener, Dioxyde d'étain, Dioxyde d'uranium, Dioxyde de zirconium, Dispositif à transfert de charges, Disulfure de molybdène, Donneur, Dopage, Effet Kondo, Effet Zener, ..., Fabrication des dispositifs à semi-conducteurs, Fluorure de calcium, Fonderie (électronique), Gallium, Graphyne, Groupe de la skuttérudite, Halogénure de méthylammonium, Hexaborure de calcium, Histoire de l'électricité, Histoire de la fusion nucléaire, Histoire du programme nucléaire civil de la France, Hydrogène arsénié (maladie professionnelle), Hydroxyde de césium, Implantation, Implantation ionique, Impression 3D, Jonction p-n, Judith Dawes, Laser à l'état solide, Laser à rubis, Laser Nd-YAG, Liaison métallique, Liste de matériaux semi-conducteurs, Manganite de lanthane, Manganite de lanthane dopé au strontium, Mars Oxygen ISRU Experiment, Matière de Dirac, Métal, Métal alcalino-terreux, Métallocène, Méthylsilane, Microscopie électronique à balayage, Nanotube de nitrure de bore, Nickélate, Niobium-étain, Nitrure de bore, Nitrure de carbone graphitique, Nitrure de gallium, Nitrure de titane, Ordinateur quantique de Kane, Osiris (réacteur), Oxyde d'indium(III), Oxyde d'yttrium(III), Oxyde de cérium dopé au gadolinium, Oxyde de lanthane, Oxyde de vanadium(IV), Oxyde mixte de bismuth, de calcium, de cuivre et de strontium, Oxyséléniure, PCBM, Phosphine, Photodiode PIN, Physique du solide, Piézorésistance, Polyaniline, Polypyrrole, Polythiophène, Procédé de Czochralski, Processus d'oxydation avancé, Production d'hydrogène, PZT, Récepteur à cristal, Recuit, Ruthénate de strontium, Séléniure d'hydrogène, Séléniure de gallium(II), Séléniure de zinc, Science des matériaux, Self-aligned gate, Semi-conducteur, Semi-conducteur dégénéré, Semi-conducteur intrinsèque, Semi-conducteur organique, Semimétal, Silicène, Silicium amorphe, Silicium polycristallin, Supraconducteur organique, Tantalate de sodium, Tétrabromure de carbone, Tellurure d'argent, Tellurure de mercure, Tellurure de zinc, Tension de claquage, There's Plenty of Room at the Bottom, Thermistance, Thermoélectricité, Thermophorèse, Thiocyanate de cuivre(I), Thyristor, Thyristor GTO, Titanate de baryum, Titanate de strontium, Titanyl phosphate de potassium, Transistor, Transistor à effet de champ, Transistor à effet tunnel, Transistor bipolaire, Transistor bipolaire à grille isolée, Tribromure de bore, Trichlorure de phosphoryle, Trifluorure de bore, Trifluorure de lanthane, Tris-dipicolinate de lanthanide, Vanadate de bismuth, Verre de chalcogénure, Wafer, Warren P. Mason, Yttrium, Zircone stabilisée à l'oxyde d'yttrium, Zirconium, Zone de déplétion. Développer l'indice (111 plus) »

Aliovalent

Deux atomes aliovalents (de alio pour différent et valent pour charge) sont deux atomes ayant des charges / valences différentes.

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Amplificateur optique

En optique, on appelle amplificateur optique un dispositif qui amplifie un signal lumineux sans avoir besoin de le convertir d'abord en signal électrique avant de l'amplifier avec les techniques classiques de l'électronique.

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Antimoniure d'indium

L'antimoniure d'indium (InSb) est un composé semi-conducteur III-V constitué d'antimoine et d'indium.

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Antimoniure de bismuth

L'antimoniure de bismuth est un alliage en proportions variables de bismuth et d'antimoine, de formule chimique.

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Arséniure de zinc

L'arséniure de zinc est un composé chimique de formule.

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Écran radioluminescent à mémoire

Les écrans radio luminescents à mémoire (ERLM), appelés également écrans photostimulables ou plaques au phosphore photostimulables, sont aujourd'hui très largement utilisés dans le domaine de la radiologie / radiographie numérique (CR -). Ils sont concurrencés par les capteurs plans numériques.

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Électroluminescence

L'électroluminescence (EL) est un phénomène optique et électrique durant lequel un matériau émet de la lumière en réponse à un courant électrique qui le traverse, ou à un fort champ électrique.

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Électrolyse à oxyde solide

consulté le.

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Électrolyte polymère

Un électrolyte polymère, ou polymère électrolytique, est une matrice de polymères organiques assurant une conduction ionique.

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Bande interdite

Bandes d'un semiconducteur. La bande interdite d'un matériau, ou gap, est l'intervalle, situé entre la bande de valence et la bande de conduction, dans lequel la densité d'états électroniques est nulle, de sorte qu'on n'y trouve pas de niveau d'énergie électronique.

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BiCMOS

BiCMOS (contraction de Bipolar-CMOS) est le nom d'une technique de circuit intégré alliant les avantages du CMOS et du bipolaire en un seul circuit intégré.

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Bore

Cristaux de borax, un composé du bore. Le bore est l'élément chimique de numéro atomique 5, de symbole B. C'est la tête de file du groupe 13 du tableau périodique.

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Capacité MOS

La Capacité Métal-Oxyde-Semi-conducteur est l'un des composants les plus importants de la microélectronique en filière silicium.

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Capteur solaire photovoltaïque

Un capteur solaire photovoltaïque (ou panneau solaire photovoltaïque) est un module photovoltaïque qui fonctionne comme un générateur électrique de courant continu en présence de rayonnement solaire.

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Carbonate de strontium

Le carbonate de strontium (SrCO3) est le sel de carbonate du strontium.

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Carbure de silicium

Le carbure de silicium est un composé chimique de formule SiC.

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Céramique transparente

lasers Nd:YAG. Une céramique transparente est une céramique qui, cristalline ou vitreuse, se caractérise par un coefficient de transmission élevé des ondes électromagnétiques dans une gamme de longueurs d'onde incluant généralement la lumière visible.

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Cellule photovoltaïque à pérovskite

Une cellule photovoltaïque à pérovskite est un type de cellule photovoltaïque dont la couche active est constituée d'un matériau de formule générale à structure pérovskite dans laquelle A est un cation, généralement de méthylammonium (MA), de formamidinium ou de césium, B est un cation d'étain ou de plomb, et X est un anion halogénure tel que chlorure, bromure ou iodure.

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Cellule solaire à pigment photosensible

Une cellule solaire à pigment photosensible parfois appelée cellules Grätzel (en anglais, Dye-sensitized solar cell ou DSC) est un système photoélectrochimique inspiré de la photosynthèse végétale qui, exposé à la lumière (photons), produit de l’électricité.

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Centrale nucléaire en France

Une centrale nucléaire en France, aussi appelée « centre nucléaire de production d’électricité » (CNPE), est un site industriel situé en France qui utilise la fission de noyaux atomiques au sein d'un combustible nucléaire pour produire de l'électricité.

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Centre azote-lacune

cristal de diamant. Un centre azote-lacune, ou centre NV, est l'un des nombreux types de défauts ponctuels présents dans la structure cristalline du diamant.

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Chlorure de lanthane(III)

Le chlorure de lanthane(), ou simplement chlorure de lanthane, est un composé chimique de formule.

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Circuit intégré

Le circuit intégré (CI), aussi appelé puce électronique, est un composant électronique, basé sur un semi-conducteur, reproduisant une ou plusieurs fonctions électroniques plus ou moins complexes, intégrant souvent plusieurs types de composants électroniques de base dans un volume réduit (sur une petite plaque), rendant le circuit facile à mettre en œuvre.

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Circuit intégré monolithique hyperfréquence

Un circuit intégré monolithique hyperfréquence ou MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) est un type de circuit intégré fonctionnant aux fréquences radio intermédiaires entre l'infrarouge et les ondes de radiodiffusion dites « micro-ondes » (de à). Ces composants électroniques sont utilisés le plus souvent comme mélangeurs micro-ondes, comme amplificateurs de puissance, comme amplificateurs faible bruit ou comme commutateurs haute fréquence.

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Composant semi-conducteur

Aperçu de quelques dispositifs semi-conducteurs encapsulés Un composant semi-conducteur est un composant électronique dont le fonctionnement repose sur les propriétés électroniques d'un matériau semi-conducteur (principalement le silicium, le germanium et l'arséniure de gallium, ainsi que des semi-conducteurs organiques).

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Conducteur (électricité)

Un conducteur d'électricité est un corps capable de laisser passer un courant électrique, sur le site mediadico.com - consulté le 11 octobre 2012.

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Conduction électrique dans les oxydes cristallins

Les oxydes cristallins, lorsqu'ils sont stœchiométriques, sont des isolants électriques: ils peuvent être décrits comme des cristaux quasi-ioniques (proches des sels), les charges sont liées aux atomes et ne sont pas mobiles.

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Craquage de l'eau par photocatalyse

Le craquage de l'eau par photocatalyse est l'utilisation de photons suffisamment énergétiques pour craquer les molécules d'eau en les clivant de manière électrochimique afin de produire hydrogène et oxygène, selon une réaction chimique qui s'écrit simplement: Une telle réaction a été décrite pour la première fois en 1972 pour des longueurs d'onde inférieures à.

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Creuset

silicium dopé par le procédé de Czochralski. Un creuset est un pot en matériau réfractaire ou en métal servant à la fusion ou la calcination.

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Défaut cristallin

bibcode.

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Détecteur à semi-conducteur

Un détecteur à semi-conducteur est un détecteur de particules ou de rayons X ou gamma qui s'appuie sur la technologie des semi-conducteurs.

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Détecteur de rayons X

Les détecteurs de rayons X sont des dispositifs capables de détecter la présence de rayons X. La technologie de détection des rayons X a fortement progressé depuis leur découverte, passant du simple film photographique à des dispositifs électroniques pouvant donner le flux de rayons X et leur énergie.

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Diac

Un diac (à l'origine un sigle pour le terme anglais diode for alternating current) est un composant électronique à amorçage (bidirectionnel) par la tension à ses bornes.

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Diéthylzinc

Le diéthylzinc, parfois abrégé en DEZn en anglais scientifique, est un corps organozincique hautement pyrophorique, caractérisé par une molécule constituée d'un centre de zinc divalent lié à deux groupes éthyles étalés en deux "aile mobiles" à température ambiante, de formule. Il se présente sous la forme d'un liquide mobile et incolore, à l'odeur désagréable, bouillant à et s'enflammant à l'air spontanément. C'est un important réactif, un précieux agent de synthèse ou d'éthylation, en chimie organique. Il est disponible dans le commerce, par exemple vendu en solution stabilisée dans l', l'heptane ou le toluène.

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Diborane

Le diborane est un composé chimique de formule.

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Dilution (homonymie)

* Dilution: réduction de la concentration d'un produit chimique;.

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Diméthylzinc

Le diméthylzinc (DMZ), ou zinc diméthyle, est un composé organométallique de formule chimique, semblable au diéthylzinc.

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Diode à pointe

Exemple de détecteur à galène ou à pyrite destiné à la réception radio. Diodes au germanium à pointe. Une diode à pointe est un type de diode composé d'un bloc de matériau semi-conducteur placé en contact avec une pointe d'un matériau métallique.

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Diode laser à cavité verticale émettant par la surface

Schéma d'une structure VCSEL simple Une diode laser à cavité verticale émettant par la surface, ou VCSEL (pour l'anglais vertical-cavity surface-emitting laser) est un type de diode laser à semi-conducteur émettant un rayon laser perpendiculairement à la surface, contrairement aux lasers conventionnels à semi-conducteur émettant par la tranche.

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Diode PIN

Une diode PIN (de l’anglais Positive Intrinsic Negative diode) est une diode constituée d'une zone non-dopée, dite intrinsèque I, intercalée entre deux zones dopées P et N. Une diode PIN polarisée dans le sens direct (passante) offre une impédance dynamique (vis-à-vis des signaux variables) extrêmement faible.

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Diode Zener

Symbole de la diode Zener Diode Zener de puissance Une diode Zener est un assemblage de deux semi-conducteurs dont les propriétés électriques ont été découvertes par le physicien américain Clarence Zener.

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Dioxyde d'étain

Le dioxyde d'étain, ou oxyde d'étain(IV), est un composé chimique de formule.

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Dioxyde d'uranium

Le dioxyde d'uranium, ou oxyde d'uranium(IV), est l'oxyde d'uranium de formule chimique.

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Dioxyde de zirconium

Le dioxyde de zirconium, ou oxyde de zirconium() est un composé chimique de formule.

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Dispositif à transfert de charges

Un dispositif à transfert de charges (CCD) est un registre à décalage électrostatique.

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Disulfure de molybdène

Le disulfure de molybdène, ou sulfure de molybdène(IV), est un composé chimique de formule.

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Donneur

Donneur peut signifier.

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Dopage

* Le dopage, en sport;.

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Effet Kondo

L'effet Kondo désigne le comportement particulier de certains conducteurs électriques à basse température.

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Effet Zener

Caractéristique d'une diode Zener. Zener- und Avalanche-Durchbruch im linken unteren Quadranten. L’effet Zener, du nom de son découvreur Clarence Melvin Zener (1905–1993), désigne l'apparition d'un courant (courant Zener) le long de la jonction bloquée d'une couche semi-conductrice fortement dopée, courant résultant de l'action de porteurs de charge libres.

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Fabrication des dispositifs à semi-conducteurs

Évolution de la finesse de gravure des processeurs entre 1970 et 2017 La fabrication des dispositifs à semi-conducteur englobe les différentes opérations permettant l'élaboration de composants électroniques basés sur des matériaux semi-conducteurs.

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Fluorure de calcium

Le fluorure de calcium est un composé inorganique de formule CaF2.

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Fonderie (électronique)

Une fonderie (foundry en anglais) est, dans l'industrie électronique, une entreprise spécialisée dans la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs, dont les puces électroniques et travaillant pour le compte d'autres entreprises spécialisées dans leur conception.

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Gallium

Le gallium est l'élément chimique de numéro atomique 31, de symbole Ga.

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Graphyne

Le graphyne est un allotrope du carbone.

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Groupe de la skuttérudite

Le groupe de la skuttérudite est un groupe de minéraux isostructuraux comprenant quatre espèces différentes.

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Halogénure de méthylammonium

bibcode.

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Hexaborure de calcium

L'hexaborure de calcium, parfois simplement écrit borure de calcium, est un composé chimique de formule.

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Histoire de l'électricité

La foudre, manifestation spectaculaire de l'électricité. L'électricité existe depuis les débuts de l'Univers.

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Histoire de la fusion nucléaire

L'histoire de la fusion nucléaire a commencé au début du XXe siècle, lorsque l'on s'est intéressé à la façon dont les étoiles produisent leur énergie.

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Histoire du programme nucléaire civil de la France

L'histoire du programme nucléaire civil de la France retrace le cheminement qui a conduit la France à devenir, à la fin du, le deuxième pays producteur d'électricité à base d'énergie nucléaire au monde, tant par le nombre de réacteurs en activité que par la puissance installée et la quantité d'électricité produite.

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Hydrogène arsénié (maladie professionnelle)

Trihydrure d'arsenic. Une intoxication par l'hydrogène arsénié (ou trihydrure d'arsenic) est une maladie professionnelle, reconnue en France sous certaines conditions.

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Hydroxyde de césium

L’hydroxyde de césium ou césine est un composé chimique de formule brute CsOH.

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Implantation

Le mot implantation peut avoir plusieurs significations.

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Implantation ionique

L'implantation ionique est un procédé d'ingénierie des matériaux.

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Impression 3D

Objet imprimé en 3D par une Ultimaker 2 Go Imprimante 3D dans un ''fab lab'' béninois.L'impression 3D ou fabrication additive regroupe les procédés de fabrication permettant de créer des pièces en volume par ajout de matière en couches successives.

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Jonction p-n

Jonction p-n dans du silicium. Sur ce schéma, les régions ''p'' et ''n'' sont reliées à des contacts métalliques, ce qui suffit à transformer la jonction en diode. Le symbole d'une diode associé à la représentation d'une jonction p-n. En physique des semi-conducteurs, une jonction p-n désigne une zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage p à un dopage n. Lorsque la région dopée p est mise en contact avec la région n, les électrons et les trous diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction, créant ainsi une zone de déplétion, ou zone de charge d'espace (ZCE), où la concentration en porteurs libres est quasiment nulle.

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Judith Dawes

Judith M. Dawes est une physicienne australienne qui est professeure de physique à l'Université Macquarie.

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Laser à l'état solide

Un laser à l'état solide est un laser qui utilise un milieu amplificateur qui est un solide, plutôt qu'un liquide comme dans un laser à colorant ou un gaz comme dans un laser à gaz.

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Laser à rubis

Un laser à rubis est un laser qui utilise un rubis synthétique comme milieu amplificateur solide.

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Laser Nd-YAG

Un laser Nd:YAG ouvert. La lumière verte provient du doublage de fréquence de la lumière du laser. Le laser Nd-YAG (acronyme du nom anglais neodymium-doped yttrium aluminium garnet) est un laser au grenat d'yttrium-aluminium dopé au néodyme (Nd:Y3Al5O12).

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Liaison métallique

trous. Une liaison métallique est une liaison chimique résultant de l'action d'un fluide d'électrons délocalisés unissant des atomes ionisés positivement.

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Liste de matériaux semi-conducteurs

Cet article recense des matériaux semi-conducteurs.

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Manganite de lanthane

Le manganite de lanthane (LMO) est un composé chimique de formule.

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Manganite de lanthane dopé au strontium

Le manganite de lanthane dopé au strontium, ou céramique lanthane strontium manganite (LSM ou LSMO), est un oxyde minéral de formule générique, où x représente le niveau de dopage et a une valeur typiquement comprise entre 10 et 20 % pour certaines applications.

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Mars Oxygen ISRU Experiment

consulté le.

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Matière de Dirac

Le terme de matière de Dirac en physique de la matière condensée fait référence à une classe de systèmes qui peuvent être décrits par une équation de Dirac.

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Métal

En chimie, les métaux sont des matériaux dont les atomes sont unis par des liaisons métalliques.

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Métal alcalino-terreux

Les métaux alcalino-terreux (ou alcalinoterreux) sont les six éléments chimiques du groupe du tableau périodique: béryllium 4Be, magnésium 12Mg, calcium 20Ca, strontium 38Sr, baryum 56Ba et radium 88Ra.

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Métallocène

Fe. Les métallocènes sont des complexes organométalliques de type sandwich ayant pour formule générale, souvent écrite, où est un élément métallique à l'état d'oxydation +2 entre deux ligands cyclopentadiényle parallèles.

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Méthylsilane

Le méthylsilane est un composé chimique de formule.

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Microscopie électronique à balayage

Premier microscope électronique à balayage par M von Ardenne Microscope électronique à balayage JEOL JSM-6340F Principe de fonctionnement du Microscope Électronique à Balayage La microscopie électronique à balayage (MEB) ou scanning electron microscope (SEM) en anglais est une technique de microscopie électronique capable de produire des images en haute résolution de la surface d’un échantillon en utilisant le principe des interactions électrons-matière.

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Nanotube de nitrure de bore

bibcode.

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Nickélate

Un nickélate est un composé chimique dans lequel le nickel est l'un des éléments d'un anion; il peut y avoir le nombre d'oxydation I, II, III ou IV.

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Niobium-étain

Le niobium-étain, aussi appelé triniobium-étain, est un composé chimique métallique polycristallin constitué de niobium (Nb) et d'étain (Sn) de formule brute.

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Nitrure de bore

Le nitrure de bore est un composé chimique de formule BN. C'est une céramique réfractaire ultradure et semiconductrice. Il est isoélectronique avec le carbone et, comme ce dernier, existe sous plusieurs polymorphes, les plus courants étant le nitrure de bore hexagonal, noté h-BN, analogue au graphite, et le nitrure de bore cubique, noté c-BN, analogue au diamant. Le premier est utilisé comme lubrifiant ainsi que dans certains produits cosmétiques, tandis que le second, qui présente une structure cristalline de type sphalérite, est un peu moins dur que le diamant mais avec une meilleure stabilité chimique et thermique. Il existe également du nitrure de bore amorphe, notée a-BN, analogue au carbone amorphe, et une structure plus rare de type wurtzite, notée w-BN, analogue à la lonsdaléite, qui pourrait être plus dure que le polymorphe c-BN. Le nitrure de bore hexagonal est stable à température ambiante, tandis que le polymorphe cubique ne l'est qu'au-dessus de, et que w-BN n'est stable qu'à une pression supérieure à. En raison de leur très grande stabilité thermique et chimique, les céramiques en nitrure de bore sont généralement utilisées comme composants dans les équipements devant fonctionner à température élevée. Le nitrure de bore fait également l'objet de recherches en vue d'applications dans le domaine des nanotechnologies. Il est ainsi possible de produire des nanotubes en nitrure de bore de structure très semblable à celle des nanotubes en carbone mais avec des propriétés très différentes. Par ailleurs, le nitrure de bore hexagonal et cubique présente des propriétés d'absorption des ondes radar Martin S. Silberberg, Chemistry: The Molecular Nature of Matter and Change,, McGraw-Hill, New York, 2009,.

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Nitrure de carbone graphitique

4 en poudre à gauche et en nanofeuillets à droite. Le nitrure de carbone graphitique, ou g-, est un polymorphe de nitrure de carbone, de formule chimique approchée omettant une certaine quantité d'hydrogène.

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Nitrure de gallium

Le nitrure de gallium est un semiconducteur III-V à gap direct de à.

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Nitrure de titane

Pas de description.

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Ordinateur quantique de Kane

L'architecture de Kane pour la réalisation de l'ordinateur quantique est une proposition théorique suggérant l'utilisation des spins nucléaires d'atomes donneurs uniques de P dans un cristal de silicium isotopiquement pur (Si) comme composants de base (qubits).

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Osiris (réacteur)

Osiris est un ancien réacteur nucléaire de recherche français mis en service au CEA au centre de Saclay en 1966, et mis à l'arrêt en décembre 2015.

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Oxyde d'indium(III)

L'oxyde d'indium(III) (In2O3) est un composé chimique, un oxyde amphotère d'indium.

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Oxyde d'yttrium(III)

L’oxyde d'yttrium() aussi appelé yttria est un composé chimique de formule.

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Oxyde de cérium dopé au gadolinium

L'oxyde de cérium dopé au gadolinium, ou, est une céramique de formule constituée d'oxyde de cérium(IV) dopé au gadolinium.

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Oxyde de lanthane

L'oxyde de lanthane est un composé chimique de formule.

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Oxyde de vanadium(IV)

Le dioxyde de vanadium ou oxyde de vanadium(IV) est un composé inorganique de formule.

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Oxyde mixte de bismuth, de calcium, de cuivre et de strontium

mm. L'oxyde mixte de bismuth, de calcium, de cuivre et de strontium (en anglais, Bismuth strontium calcium copper oxide ou BSCCO, prononcé « bisko ») est un type de cuprate supraconducteur ayant la formule chimique généralisée, le composé défini par étant le plus étudié bien que les composés pour lesquels ou aient également reçu une attention significative.

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Oxyséléniure

Un oxyséléniure est un composé chimique à la fois oxyde et séléniure, c'est donc un oxychalcogénure contenant des atomes d'oxygène et de sélénium.

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PCBM

PCBM peut faire référence à.

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Phosphine

La phosphine, hydrure de phosphore, phosphure d'hydrogène, ou phosphane (nomenclature IUPAC) est un composé inorganique du phosphore et de l'hydrogène, de formule PH.

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Photodiode PIN

La photodiode PIN est un composant semi-conducteur de l’optoélectronique.

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Physique du solide

La physique du solide est l'étude des propriétés fondamentales des matériaux solides, cristallins – par exemple la plupart des métaux –, ou amorphes – par exemple les verres – en partant autant que possible des propriétés à l'échelle atomique (par exemple la fonction d'onde électronique) pour remonter aux propriétés à l'échelle macroscopique.

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Piézorésistance

La piézorésistivité, est une propriété d'un matériau décrivant le changement de résistance électrique dû à une contrainte mécanique subie.

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Polyaniline

La polyaniline, souvent abrégée en PAni, est un polymère conducteur aux multiples applications en raison de sa stabilité chimique, de sa conductivité électrique élevée, et de la facilité de sa synthèse et de son dopage.

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Polypyrrole

Le polypyrrole (PPy) est un polymère organique constitué de noyaux de pyrrole connectés les uns aux autres.

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Polythiophène

Unité de répétition monomère de polythiophène non substitué. Les étoiles indiquent les groupes de terminaison de la chaîne polymère. Les polythiophènes montrent des propriétés optiques résultant de leur structure conjuguée, comme le démontre la fluorescence d'une solution de polythiophène substitué sous irradiation UV. Les polythiophènes (PT) constituent une famille de polymères (macromolécules) résultant de la réaction de polymérisation du thiophène, un hétérocycle sulfuré, qui peut devenir conducteur lorsque des électrons sont ajoutés ou enlevés des orbitales p conjuguées par dopage.

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Procédé de Czochralski

Cristal de silicium obtenu par le procédé de Czochralski. Le procédé de Czochralski (prononcé « Tchokhralski »), développé en 1916 par le chimiste polonais Jan Czochralski, est un procédé de croissance de cristaux monocristallins de grande dimension (plusieurs centimètres).

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Processus d'oxydation avancé

Les processus d'oxydation avancés (abréviation POA), au sens large, sont un ensemble de procédures de traitement physicochimique conçues pour détruire des matières organiques (et parfois inorganiques) en suspension ou en solution dans l'eau d'effluents domestiques, urbains ou industriels, par oxydation via des réactions avec des radicaux hydroxyle (HO).

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Production d'hydrogène

La production d'hydrogène, ou plus exactement de dihydrogène, est en grande majorité réalisée par extraction chimique depuis des combustibles fossiles, principalement du méthane, du charbon et de coupes pétrolières.

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PZT

Les PZT, ou titano-zirconates de plomb, sont des composés chimiques de formule, où.

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Récepteur à cristal

Le récepteur à cristal connu sous les noms de poste à galène, de poste à diode ainsi que de poste à pyrite est un récepteur radio à modulation d'amplitude extrêmement simple qui historiquement dès le début du permit la réception des ondes radioélectriques des premières bandes radios, des signaux de la tour Eiffel et des premiers postes de radiodiffusion.

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Recuit

Le recuit d'une pièce métallique ou d'un matériau est un procédé correspondant à un cycle de chauffage.

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Ruthénate de strontium

Le ruthénate de strontium est un oxyde de strontium et de ruthénium.

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Séléniure d'hydrogène

Le séléniure d'hydrogène est un composé chimique inorganique de formule.

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Séléniure de gallium(II)

Le séléniure de gallium() est un composé chimique de formule GaSe.

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Séléniure de zinc

Le séléniure de zinc est un composé chimique binaire, solide ionique jaune à rouge clair, à base de zinc Zn et de sélénium Se, de formule.

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Science des matériaux

La science des matériaux repose sur la relation entre les propriétés, la morphologie structurale et la mise en œuvre des matériaux qui constituent les objets qui nous entourent (métaux, polymères, semi-conducteurs, céramiques, composites, etc.). Elle se focalise sur l'étude des principales caractéristiques des matériaux, ainsi que leurs propriétés mécaniques, chimiques, électriques, thermiques, optiques et magnétiques.

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Self-aligned gate

Une self-aligned gate (qu'on pourrait traduire de l'anglais par « grille auto-alignée ») est un procédé de fabrication de transistor MOSFET dans lequel la grille, très dopée, est utilisée en tant que masque pour le dopage de la source et du drain qui l'entourent.

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Semi-conducteur

Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un isolant, mais pour lequel la probabilité qu'un électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique faible, est suffisamment importante.

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Semi-conducteur dégénéré

Un semi-conducteur dégénéré est un semi-conducteur dopé au point d'avoir un comportement plus proche de celui d'un métal que d'un semi-conducteur.

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Semi-conducteur intrinsèque

Un semi-conducteur intrinsèque est un matériau semi-conducteur dont le comportement électrique ne dépend que de sa structure, et non de l'adjonction d'impuretés comme dans le cas du dopage.

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Semi-conducteur organique

Molécules de quinacridone (semi-conducteur organique) adsorbées sur une surface de graphite. Un semi-conducteur organique est un composé organique, sous la forme d'un cristal ou d'un polymère, qui montre des propriétés similaires aux semi-conducteurs inorganiques.

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Semimétal

trous. Un semimétal est un matériau dont les états d'énergie inférieurs de la bande de conduction recouvrent très faiblement les états d'énergie supérieurs de la bande de valence.

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Silicène

10.1088/1367-2630/16/9/095004. Le silicène est une forme allotropique du silicium.

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Silicium amorphe

Le silicium amorphe, généralement abrégé a-Si, est la variété allotropique non cristallisée du silicium, c’est-à-dire dans lequel les atomes sont désordonnés et ne sont pas rangés de façon régulière définissant une structure cristalline.

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Silicium polycristallin

Le silicium polycristallin, aussi couramment appelé polysilicium ou poly-Si est une forme particulière du silicium, qui se différencie du silicium monocristallin et du silicium amorphe.

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Supraconducteur organique

Un supraconducteur organique est un composé organique synthétique supraconducteur à basse température.

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Tantalate de sodium

Le tantalate de sodium est un composé chimique de formule.

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Tétrabromure de carbone

Le tétrabromure de carbone ou tétrabromométhane (CBr4) est un composé moléculaire de la famille des halogénométhanes.

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Tellurure d'argent

Le tellurure d'argent est un composé chimique de formule.

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Tellurure de mercure

Le tellurure de mercure est un composé chimique de formule HgTe.

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Tellurure de zinc

Le tellurure de zinc est un composé chimique binaire de formule ZnTe. Ce solide est un matériau semi-conducteur II-VI, ayant un gap direct de. C'est habituellement un semi-conducteur de type p. Comme la plupart des matériaux semi-conducteurs composites, il possède un structure de type « blende ».

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Tension de claquage

La tension de claquage (ou « tension disruptive ») d'un isolant électrique est la tension électrique minimale qui rend conductrice une portion d'un isolant.

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There's Plenty of Room at the Bottom

There's Plenty of Room at the Bottom: An Invitation to Enter a New Field of Physics, qui se traduirait par « Il y a beaucoup de place en bas: une invitation à entrer dans un nouveau domaine de la physique » est une conférence donnée par le physicien Richard Feynman lors de la réunion annuelle de la Société américaine de physique à Caltech le.

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Thermistance

Une thermistance est un composant électronique dont la résistance électrique varie en fonction de la température.

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Thermoélectricité

La thermoélectricité est l'électricité générée par l'effet thermoélectrique, un phénomène physique présent dans certains matériaux, qui lie les flux de chaleur qui les traversent aux courants électriques qui les parcourent.

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Thermophorèse

La thermophorèse, ou thermodiffusion, ou thermomigration, ou effet Soret, ou encore, effet Ludwig-Soret, est un phénomène observé dans les préparations de particules en mouvement où les différentes catégories de particules présentent des réponses différentes lorsqu'elles sont soumises à un gradient de température.

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Thiocyanate de cuivre(I)

Le thiocyanate de cuivre(I) est un (polymère de coordination) de formule chimique CuSCN.

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Thyristor

Un thyristor est un interrupteur électronique semi-conducteur à l'état solide constitué de quatre couches, alternativement dopées N et P. C'est un des composants essentiels de l'électronique de puissance.

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Thyristor GTO

Le thyristor à extinction par la gâchette (thyristor GTO ou plus simplement GTO, de l'anglais gate turn-off thyristor), c’est-à-dire thyristor blocable par la gâchette.

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Titanate de baryum

Le (méta)titanate de baryum est un composé chimique de formule.

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Titanate de strontium

Le titanate de strontium est un composé chimique de formule.

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Titanyl phosphate de potassium

Le phosphate de titanyle et de potassium (KTiOPO4) ou KTP est un matériau couramment employé en optique non linéaire pour le doublage de fréquence de diode laser.

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Transistor

Quelques modèles de transistors. Le transistor est un composant électronique à semi-conducteur permettant de contrôler ou d'amplifier des tensions et des courants électriques.

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Transistor à effet de champ

Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors.

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Transistor à effet tunnel

Le transistor à effet tunnel (TFET) est un type de transistor encore expérimental.

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Transistor bipolaire

Vue interne d'un transistor bipolaire de puissance 2N3055 conçu dans les années 1970. monté en surface. Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors.

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Transistor bipolaire à grille isolée

Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais texte) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement dans les montages de l’électronique de puissance.

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Tribromure de bore

Le tribromure de bore, BBr3, est un composé liquide incolore contenant du bore et du brome.

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Trichlorure de phosphoryle

Le trichlorure de phosphoryle, ou oxychlorure de phosphore, est un composé inorganique de la famille des oxychlorures, de formule brute.

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Trifluorure de bore

Le trifluorure de bore est un gaz toxique et incolore de formule chimique BF3.

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Trifluorure de lanthane

Le trifluorure de lanthane, ou simplement fluorure de lanthane, est un composé chimique de formule.

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Tris-dipicolinate de lanthanide

Tris-dipicolinate de lanthanide. Les complexes tris-dipicolinate de lanthanide ont pour anions des composés dont la formule est de type 3–, avec Ln, un élément de la famille des lanthanides du bloc f du tableau périodique.

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Vanadate de bismuth

Le vanadate de bismuth ou orthovanadate de bismuth est un composé chimique de formule.

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Verre de chalcogénure

Les verres de chalcogénure sont une famille de verres essentiellement utilisés en optique active et passive.

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Wafer

En électronique, un wafer (littéralement en français « tranche ») est une tranche ou une plaque très fine de matériau semi-conducteur monocristallin utilisée pour fabriquer des composants de microélectronique.

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Warren P. Mason

Warren Perry Mason, né le à Colorado Springs (Colorado) et mort le à Gainesville (Floride), est un ingénieur électricien et physicien américain de chez Bell Labs.

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Yttrium

L’yttrium est l'élément chimique de numéro atomique 39, de symbole Y. L'yttrium est un élément de transition d'apparence métallique, qui possède un comportement chimique proche de celui des lanthanides, et classé historiquement parmi les terres rares, avec le scandium et les lanthanides.

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Zircone stabilisée à l'oxyde d'yttrium

lacunes d'oxygène. La zircone stabilisée à l'oxyde d'yttrium, ou, souvent appelée simplement zircone stabilisée à l'yttrium, est une céramique réfractaire constituée de dioxyde de zirconium, ou zircone, dont la structure cristalline est stabilisée sous sa forme cubique ou tétragonale à température ambiante par de l'oxyde d'yttrium(III).

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Zirconium

Le zirconium est l'élément chimique de numéro atomique 40, de symbole Zr.

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Zone de déplétion

En électronique, la zone de déplétion, aussi appelée zone de charge d'espace (ZCE), ou zone désertée, correspond à la région qui apparaît dans une jonction P-N, entre la zone dopée N et la zone dopée P. Elle est appelée « zone de déplétion » ou « zone désertée » parce qu'elle est dépourvue de porteurs libres, et elle est appelée « zone de charge d'espace » parce qu'elle est constituée de deux zones chargées électriquement (contrairement au reste du semi-conducteur N et du semi-conducteur P qui sont globalement neutres)....

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Redirections ici:

Dopage (semi-conducteurs).

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